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    业界领先,三星20nm 8G* DDR4内存开始量产

    2019-12-26 22:24:38 作者:小言  阅读:83 次  点赞:0 次  鄙视:0 次  收藏:0 次  由 www.strdd.com 收集整理
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    16GB和32GB容量的内存现在已经很常见了,只有64GB和128GB 非常罕见,不过这对于三星而言,似乎并不是难事。日前,全球最大半导体供应商之一的三星,正式宣布正在开始量产两个业界最先进内存模块,分别为8Gb (gigabit) DDR4内存芯片和32 GB (gigabyte) 的内存模块。从技术层面上讲,第二个产品基于第一个产品打造。

    8Gb DDR4 DRAM基本上同等于1GB的储存空间,通过20nm的制造工艺打造,确保了体积将更小密度更高。原本三星的4Gb芯片最多能打造出 64GB 容量的内容模块,但此次三星还引入了3D TSV硅穿孔封装技术,使用新的8Gb DDR4 DRAM也可以生产出128GB的内存来。

    三星表示,全新的20nm  8Gb DDR4内存兼具高性能、高密度和高能源效率的特性。不过,该内存芯片目前只针对企业客户打造,所以不久后我们会看到一些厂商将通过批量的方式下订单,用于打造自己的主板或者内存PCB板。

    新32GB DDR4内存模块的传输速度达到2400Mbps,相比上一代 DDR3产品(1866Mpbs)性能上快 29%。虽然普通用户通常使用的是1600Mbps速度的DDR3内存,但在企业应用中很少看到速度低于1866Mpbs的内存。新的DDR4大幅降低了供电的需求,仅1.2v电压, 提速且更省电对于企业打造大型数据中心或云储存十分有利。

    三星两个新产品目前都已经发售,价格只根据订单规模向企业客户提供。当然,三星也提供基于20nm的4Gb DDR3的PC内存以及同工艺的6Gb LPDDR3的移动设备内存。 不出意外的话,再过一段时间三星就会正式推出通过3D TSV硅穿孔技术打造出高达128GB容量的DDR4内存了。

    本文关键词:三星 , 量产 , 业界

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